中关村在线消息：根据国内有关媒体报道，近日中科院物理研究所利用通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体。
据了解，被称为第三代半导体材料的碳化硅（SiC）目前在功率半导体等领域具有巨大的实用性，但是其长期存在大尺寸晶体制备困难的问题，本次国产8英寸碳化硅（SiC）晶体的制备工艺成功应用，可以说是实现了历史性的突破。据中科院方面表示：该成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底方面的国际竞争力。
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关键词： 国产半导体芯片材料获实质性突破 成功制备8英寸晶片
