据韩媒BusinessKorea 报导，三星电子计划在今年6 月前完成11 nm制程第六代1c DRAM 的开发，在美光、SK 海力士加速追赶之际，力拼保持产业龙头地位。
三星近期通知公司内部半导体研究人员，公司决定跳过并放弃12 nm制程1b DRAM 的开发。先前传出三星1b 遇到研发障碍，可能修改产品轨道与战略。
三星决定放弃1b DRAM 后，立即加速1c DRAM 的开发，若1c 今年能亮相，可望拉开与美光、SK 海力士等竞争对手的技术差距。
三星现阶段正面临必须抢先开发出1c DRAM 的压力，因为1a (1-alpha) DRAM 开放进度已落后美光，美光目前1a (1-alpha) DRAM 已进入量产阶段。三星过去也曾放弃28nm DRAM 开发与量产，瞄准25nmDRAM，不过，随着制程工艺进入10nm阶段，三星要在先进制程中复制过去模式恐有难度。
