传三星1b(12～13纳米)DRAM开发遇阻
据韩媒报导，负责三星半导体初期开发的半导体研究所最近中断了1b(12～13nm) DRAM研发，可能修改产品轨道与战略。三星2021年进入1a(14nm)DRAM量产，自2021年下半，成立1b DRAM任务小组(TF)，负责下一代12～13nm 1b DRAM研发，无奈最终无法突破纳米技术高墙。
传计划相关负责人日前向研究人员发送电子邮件，告知放弃1b研究，间接承认研发失败，但强调之后会就研究方向进行讨论。尽管可能修正技术开发蓝图，但三星先进制程技术仍领先竞争对手。
一直以来，三星都是强调「超格差」战略，即以领先1～2年的技术与低廉生产成本技压对手。原本三星打算借成功开发1b DRAM，拉大与SK海力士、美光的差距。目前DRAM排名前三大厂商为三星、SK海力士及美光，三家厂商均在2021年宣布1a DRAM量产，业界正高度关注，谁能率先量产1b DRAM，主导市场技术发展。
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