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光刻机是芯片制造的核心设备，许多国家企业都在大力发展芯片制造，而光刻机的研发成为了重中之重。
由于光刻机的生产研发难度较高，所以大部分的企业都考虑从ASML手中购买先进的光刻机设备。
可是外部市场规则的变化让我们意识到必须将核心技术掌握在自己手中。功夫不负有心人，经过中国科研人员的努力之后，3项核心技术接连突破，事关国产光刻机。对此都有哪些技术进展呢？ASML如何应对？
关于国产光刻机，3项技术迎来突破
来自荷兰的ASML公司在光刻机行业掌握绝对的话语权，台积电、三星、英特尔、SK海力士等世界级巨头都是这家公司的客户。
他们都是ASML公司EUV光刻机的核心销售对象。但其实ASML也曾和中国企业展开EUV光刻机的交易，可最终在某些国家的阻碍下失败了。
ASML公司直言除了EUV光刻机之外，其余的设备都能正常出货。意思已经非常明显了，国外对最先进，最高端的设备一直保持戒备，所以在这样的情况下，任何的科技突破都必须通过自主研发的力量进行。
国外无法提供的技术那就自己研发，在每一项技术节点投入部署，攻克核心技术难题。事实证明，努力是可行的，关于国产光刻机，3项核心技术接连突破。
首先来看第一项：长春光机所突破“光学投影物镜”制造关键技术。
物镜系统是光刻机的重要组成部分，在光学投影领域发挥重要的作用。长春光机所是国内知名的科研机构，有丰富的光学领域经验积累。这一技术的突破为国产光刻机提供了光学投影物镜制造领域的一个探索方向。
其次第二项技术是一种“双波长激光共轴输出系统与方法”。
这是一项同样由长春光机所取得的发明专利，应用于光刻机领域。根据专利介绍可知，目前可调谐co2激光器普遍采用的是棱镜等色散元件完成输出，但经过长春光机所的研发后，可以同时输出双波长激光。
另外就是第三项技术突破是 “一种高功率波长可调的极紫外光源的产生装置及方法”。
这项专利技术由中科院取得突破，根据专利研究表明，极紫外光源存在激光等离子体转换效率小于3%，功率无法有效提升。在光刻机进行5nm及以下制程曝光时分辨率是有限的。
于是中科院面向极紫外光源解决功率低，波长不可调的问题提出了这项解决方案技术，并公开申请专利。
以上这三种核心技术的突破都和光刻机有关，或许光刻机并非如大家想象中的神秘莫测，只要投入研发迟早会取得突破。这业内有很多声音表示光刻机制造难度有多大，背后有多少供应商采用了多少零部件。
但任何一项领先的科技产品，都是经过反复打磨，测试并最终实现突破。光刻机也不例外，或许想要制造出完整的EUV光刻机无法在一时半会完成，但我们可以树立一个可见的目标。当完成目标时再去攻克更高层次的难题。
ASML也没料到
国产光刻机的发展时间并没有国外那么久，ASML还得到了各国公司的支持。尽管ASML掌握了EUV光刻机的生产制造工艺，但如果没有其他国家科技产品的话，EUV同样无法造出来。
所以ASML想要向哪些客户出货EUV光刻机，还需要背后的专利供应国说了算。ASML一直都希望与中国市场展开更密切的合作，不止一次表达出合作携手的意向。
ASML这么做其实不难理解，毕竟中国是全球最大的芯片消费市场，而我国正不断发展芯片制造业，将来对光刻机的需求还会上涨。
这是一个很好的市场机会，EUV光刻机除了ASML之外没有别的厂商可制造，这是完全被ASML垄断的市场。只可惜ASML不能将它发往大陆市场，那就只能推销DUV等其它类型的光刻机了。
可是国产光刻机取得诸多核心技术突破，将来很有可能实现自主技术的可控，到时候DUV光刻机可生产的芯片国产光刻机也行。一旦走到这一步，ASML唯一能出货的设备领域也会面临变数。
长春光机所和中科院的3项核心技术突破已经发出了信号，按照这样的趋势发展下去，未来或有可能实现预想中的一切。
估计ASML也没料到这么快，那么ASML该如何应对呢？或许只能极力推销DUV光刻机了，又或者降低价格提高出货量。但不管有哪些应对措施，国产光刻机势必一往无前。
总结
国产光刻机实现一项又一项技术突破，这为我国半导体的发展将提供一定的技术保障。技术作为驱动科技发展的重要因素，相信在未来还会取得更多的技术突破。不只是光刻机，在其它的半导体设备领域也终究实现破冰。
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